三星全球首发量产第九代QLC闪存：开始量产第九代TLC V-NAND闪存，二者只间隔4个月

　　9月13日，三星电子官方宣布，已经开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存，单颗容量1Tb(128GB)。

　　就在今年4月，三星开始量产第九代TLC V-NAND闪存，二者只间隔4个月。

三星第九代QLC NAND闪存加入了多项创新：

　　一是通道孔蚀刻(Channel Hole Etching)。

　　基于双堆栈架构，实现了当前业内最高的单元堆叠层数(具体未公开)。同时优化存储单元面积、外围电路，位密度比上代提升约86％。

　　二是预设模具(Designed Mold)。

　　可以调整、控制存储单元的字线(Word Line)间距，确保同一单元层内、单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳效果，数据保持性能提升约20％，增强了可靠性。

　　三是预测程序(Predictive Program)。

　　能够预测、控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60％。

　　四是低功耗设计(Low-Power Design)。

　　降低了驱动NAND存储单元所需的电压，只感测必要的位线(Bit Line)，数据读取功耗约分别下降了约30％、50％。

　　三星第九代QLC V-NAND闪存将首先用于消费电子产品，然后逐步在UFS、PC、服务器领域铺开。