美光宣布单颗36GB HBM3E内存：不再需要频繁调用CPU，从而减少延迟、提高数据处理效率

　　9月11日，美光官方宣布，已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存，单颗容量达36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。

　　它将用于顶尖的AI、HPC计算产品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，单卡就能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型，不再需要频繁调用CPU，从而减少延迟、提高数据处理效率。

　　美光12-Hi 36GB HBM3E内存还有着9.2Gbps的超高速率，单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽，而且功耗比8-Hi版本更低。

　　台积电CoWoS封装技术制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术，彼此可以轻松搭配。

　　支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试)，可以模拟全速下的系统负载，方便快速完成测试验证，加快上市。

　　美光表示，12-Hi HBM3E已经提供给关键伙伴进行验证。